接近式光刻机在性能上都有哪些指标？

　　接近式光刻机又名：曝光系统，光刻系统等，是一种用于信息科学与系统科学、能源科学技术、电子与通信技术领域的工艺试验仪器。其工作方式是通过光的作用，将掩模版上的电路图形投影到产品表面光刻胶上，然后显影出图形，最后经过蚀刻、离子植入等制程定型形成有效的电路。

 

　　工作原理：

　　接近式光刻机通过一系列的光源能量、形状控制手段，将光束透射过画着线路图的掩模，经物镜补偿各种光学误差，将线路图成比例缩小后映射到硅片上，不同光刻机的成像比例不同，有5:1，也有4:1。然后使用化学方法显影，得到刻在硅片上的电路图。

　　一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、激光刻蚀等工序。经过一次光刻的芯片可以继续涂胶、曝光。越复杂的芯片，线路图的层数越多，也需要更精密的曝光控制过程。现在先进的芯片有30多层。

 

　　性能指标：

　　接近式光刻机的主要性能指标有：支持基片的尺寸范围，分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等。

　　分辨率是对光刻工艺加工可以达到的最细线条精度的一种描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制，所以与光源、光刻系统、光刻胶和工艺等各方面的限制。

　　对准精度是在多层曝光时层间图案的定位精度。

　　曝光方式分为接触接近式、投影式和直写式。

　　曝光光源波长分为紫外、深紫外和极紫外区域，光源有汞灯，准分子激光器等。