光刻机，是一个全新的、已经被生产厂家验证过的新型光刻曝光机以及晶圆对晶圆(W2W)接合曝光和测试系统，可满足用户对更高光刻精度的需求。业内向更小结构和更密集封装生产转型的趋势带来了众多的新挑战，如对更高精度的要求，因为这将严重影响设备的偏差律，并最终影响生产效率和增加成本。
它应用的系统可提高对准精度，范围从1μm-0.1μm，从而为生产厂家在先进微电子、化和物半导体、硅基电功率、三维集成电路和纳米等几乎所有相关产业提供了解决方案。
它的技术原理：
光刻机就是把芯片制作所需要的线路与功能区做出来。利用光刻机发出的光通过具有图形的光罩对涂有光刻胶的薄片曝光，光刻胶见光后会发生性质变化，从而使光罩上得图形复印到薄片上，从而使薄片具有电子线路图的作用。
这就是它的作用，类似照相机照相。照相机拍摄的照片是印在底片上，而光刻刻的不是照片，而是电路图和其他电子元件。
其技术是一种精密的微细加工技术。常规光刻技术是采用波长为2000～4500埃的紫外光作为图像信息载体，以光致抗光刻技术蚀剂为中间(图像记录)媒介实现图形的变换、转移和处理，然后把图像信息传递到晶片或介质层上的一种工艺。
在广义上，光刻机包括光复印和刻蚀工艺两个主要方面：
1、光复印工艺：经曝光系统将预制在掩模版上的器件或电路图形按所要求的位置，精确传递到预涂在晶片表面或介质层上的光致抗蚀剂薄层上；
2、刻蚀工艺：利用化学或物理方法，将抗蚀剂薄层未掩蔽的晶片表面或介质层除去，从而在晶片表面或介质层上获得与抗蚀剂薄层图形一致的图形。集成电路各功能层是立体重叠的，因而光刻工艺总是多次反复进行。例如，大规模集成电路要经过约10次光刻才能完成各层图形的全部传递。
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