接近式光刻机的使用原理及性能指标

　　大家也许还不是非常的清楚，光刻机的种类有非常的多，其中的技术原理也不尽相同，下面就由我来给大家简单介绍一下有关接近式光刻机的使用原理及性能指标。

 

　　接近式光刻机的使用原理：

　　其实在我国对于接近式光刻机，曝光时掩模压在光刻胶的衬底晶片上，其主要优点是可以使用价格较低的设备制造出较小的特征尺寸。

　　我们也许不知道接触式光刻和深亚微米光源已经达到了小于0.1gm的特征尺寸，常用的光源分辨率为0.5gm左右。该光刻机的掩模版包括了要复制到衬底上的所有芯片阵列图形。在衬底上涂上光刻胶，并被安装到一个由手动控制的台子上，台子可以进行X、y方向及旋转的定位控制。

　　在操作过程中掩模版和衬底晶片需要通过分立视场的显微镜同时观察，这样操作者用手动控制定位台子就能把掩模版图形和衬底晶片上的图形对准了。经过紫外光曝光，光线通过掩模版透明的部分，图形就转移到了光刻胶上。该光刻机的主要缺点是依赖于人操作，由于涂覆光刻胶的圆片与掩模的接触会产生缺陷，每一次接触过程，会在圆片和掩模上都造成一定的缺陷。因此，设备一般用于能容忍较高缺陷水平的器件研究和其他应用方面。
 

　　接近式光刻机的外观图片：
 

　　接近式光刻机的性能指标：

　　设备的主要性能指标有：支持基片的尺寸范围，分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等。

　　1.分辨率是对光刻工艺加工可以达到的最细线条精度的一种描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制，所以与光源、光刻系统、光刻胶和工艺等各方面的限制。

　　2.对准精度是在多层曝光时层间图案的定位精度。

　　3.曝光方式分为接触接近式、投影式和直写式。

　　4.曝光光源波长分为紫外、深紫外和极紫外区域，光源有汞灯，准分子激光器等。