接触式光刻机的曝光方式大致可分为以下三种

　　接触式光刻机的核心原理就是一个透镜组，在精度上首先咱们有个概念：我们现在芯片的线条精度已发展到10nm级别，而较大的原子直径是将近1nm，我们把芯片放在电子显微镜下即可清晰地数出每个线条上有几个原子，“调节屈光度”是典型的几何光学（初等光学）概念，远远实现不了这个精度。

 

　　接触式光刻机的曝光方式：

　　主要有三种，分别是接触式曝光、非接触式曝光和投影式曝光。

　　1、接触式曝光：就是将掩膜与还没加工基片的光胶层直接接触并进行的曝光；

　　2、非接触式曝光：是指掩膜和基片的光胶层不直接接触来实现图形复印的曝光；

　　3、投影式曝光：是指掩膜与基片不直接接触，但用投影仪分方式来实现图形转移。

 

　　接触式光刻机的主要性能指标有：

　　支持基片的尺寸范围，分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等。

　　分辨率是对光刻工艺加工可以达到的最细线条精度的一种描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制，所以与光源、光刻系统、光刻胶和工艺等各方面的限制。

　　对准精度是在多层曝光时层间图案的定位精度。

　　曝光方式分为接触接近式、投影式和直写式。

　　曝光光源波长分为紫外、深紫外和极紫外区域，光源有汞灯，准分子激光器等。